特許

J-GLOBAL ID：200903060913735208

半導体ウェーハのエッジ研摩方法及び装置

発明者： 宇木 元泰 ,  尾崎 治雄 ,  上川内 秀夫
出願人/特許権者： エムテック株式会社
代理人 (1件)： 内田 和男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-347703
公開番号（公開出願番号）：特開平9-168953
出願日： 1995年12月16日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハのエッジを研摩するとき、オーバーポリッシュを防止し、かつ研摩残りをなくしてエッジの全面を均一に鏡面研摩し、有効に利用できる半導体ウェーハの面積を増大させると共に、電子部品製作時に該エッジの欠けによる塵埃の発生を防止して塵埃の影響を大幅に低減させて半導体チップの歩留りを大幅に向上させる。【解決手段】 半導体ウェーハ15の肉厚方向と直角方向の軸16を回転中心として研摩板12を正回転させながら半導体ウェーハ15の上面側エッジ15dに当接させてアップカットにより該上面側エッジ15dを研摩する第1工程、研摩板12を正方向及び逆方向に交互に回転させながら半導体ウェーハ15の外周端面15aに当接させて該外周端面15aを研摩する第2工程及び研摩板12を逆回転させながら半導体ウェーハ15の下面側エッジ15eに当接させてアップカットにより該下面側エッジ15eを研摩する第3工程の3工程によって半導体ウェーハ15のエッジ15bを研摩する構成を特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの外周のエッジに回転する研摩板を当接させて前記エッジを研摩する半導体ウェーハのエッジ研摩方法において、前記研摩板を前記半導体ウェーハの肉厚方向と直角方向の軸を回転中心として前記半導体ウェーハの外周方向から中心方向に向けてアップカットにより研摩するように正回転させながら前記半導体ウェーハの上面側エッジに当接させて該上面側エッジを研摩する第1工程と、前記研摩板を前記軸を回転中心として正方向及び逆方向に回転させながら前記半導体ウェーハの外周端面に当接させて該外周端面を研摩する第2工程と、前記研摩板を前記軸を回転中心として前記半導体ウェーハの外周方向から中心方向に向けてアップカットにより研摩するように逆回転させながら前記半導体ウェーハの下面側エッジに当接させて該下面側エッジを研摩する第3工程とによって前記半導体ウェーハの前記エッジを研摩することを特徴とする半導体ウェーハのエッジ研摩方法。

IPC (3件)：

B24B 9/00 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 321

FI (3件)：

B24B 9/00 L ,  H01L 21/304 301 B ,  H01L 21/304 321 M