半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059800
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275579
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコンまたはシリサイドをリアクティブイオンエッチングする場合に、多結晶シリコン,シリサイド上に成長した自然酸化膜が、エッチングの不均一性,エッチング残りを発生させるのを防ぐ。【構成】多結晶シリコン,シリサイドをエッチングする前にCF4 ガスを用いてリアクティブイオンエッチング、または、130BHF処理をして、多結晶シリコンまたはシリサイド上の自然酸化膜を除去する。これにより、自然酸化膜の影響で多結晶シリコン,シリサイドのエッチング不均一性や、エッチング残りの発生を防ぐ。

請求項（抜粋）：

多結晶シリコン膜または、シリサイド膜をフォトリソグラフィ技術でパターニングし、多結晶シリコン膜またはシリサイド膜のみをエッチングする工程を含む半導体装置の製造方法において、多結晶シリコン膜またはシリサイド膜上に成長した自然酸化膜を除去した後、多結晶シリコン膜またはシリサイド膜のみをエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-053523
特開平2-256232
特開平2-230727

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