特許

J-GLOBAL ID：200903060916169122

誘電体膜の成膜方法

発明者： 谷 典明 ,  中村 久三 ,  鄒 紅▲こう▼ ,  石川 道夫 ,  鈴木 郁生
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 北村 欣一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152306
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017764
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 比誘電率の高い誘電体膜の成膜方法を提供する。【構成】 基板上に酸化物系の誘電体膜を形成する成膜方法において、誘電体膜をスパッタリング法またはCVD法にて成膜後、酸素イオンを誘電体膜に注入し、その後、該誘電体膜に温度200°C以上でアニール処理を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化物系の誘電体膜を形成する成膜方法において、誘電体膜をスパッタリング法またはCVD法にて成膜後、酸素イオンを誘電体膜に注入し、かつ該誘電体膜を温度200°C以上でアニールすることを特徴とする誘電体膜の成膜方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/48 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/3205

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-258121
  
• 誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348259   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (2件)

• 特開平4-258121
  
• 誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-348259   出願人：富士通株式会社