特許
J-GLOBAL ID:200903060916169122
誘電体膜の成膜方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 欣一 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-152306
公開番号(公開出願番号):特開平8-017764
出願日: 1994年07月04日
公開日(公表日): 1996年01月19日
要約:
【要約】【目的】 比誘電率の高い誘電体膜の成膜方法を提供する。【構成】 基板上に酸化物系の誘電体膜を形成する成膜方法において、誘電体膜をスパッタリング法またはCVD法にて成膜後、酸素イオンを誘電体膜に注入し、その後、該誘電体膜に温度200°C以上でアニール処理を行う。
請求項(抜粋):
基板上に酸化物系の誘電体膜を形成する成膜方法において、誘電体膜をスパッタリング法またはCVD法にて成膜後、酸素イオンを誘電体膜に注入し、かつ該誘電体膜を温度200°C以上でアニールすることを特徴とする誘電体膜の成膜方法。
IPC (5件):
H01L 21/285 301
, C23C 14/08
, C23C 14/48
, C23C 14/58
, H01L 21/3205
引用特許:
出願人引用 (2件)
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特開平4-258121
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誘電体薄膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-348259
出願人:富士通株式会社
審査官引用 (2件)
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特開平4-258121
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誘電体薄膜の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-348259
出願人:富士通株式会社
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