特許

J-GLOBAL ID：200903060919354060

エレクトロルミネッセンス素子

発明者： 棚瀬 健司 ,  西川 龍司 ,  米田 清
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (2件)： 吉田 研二 ,  石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-041058
公開番号（公開出願番号）：特開2006-228573
出願日： 2005年02月17日
公開日（公表日）： 2006年08月31日
要約：

【課題】エレクトロルミネッセンス素子の信頼性向上。【解決手段】EL素子の上部電極40の少なくとも表面側の材料としてAl合金(例えばAlNd系合金)を用いる。この上部電極40は多層構造とでき、その場合、発光素子層30側に、真空蒸着によりAl等を用いて上部第1導電層42を形成し、スパッタリング法などによりAl合金を用いて上部第2導電層44を形成する。上部第1及び第2導電層42,44の層間には、応力緩和性、耐スパッタリング性があり、緻密で被覆性の良いバッファ層46を真空蒸着で形成する。上部電極40を覆って素子形成領域の上にはSiNx等を用いた素子封止保護膜60をスパッタリング等で形成する。上部電極40の表面は素子封止保護膜60の形成雰囲気に曝されるが、Al合金が用いられているため耐熱性に優れ、保護膜60を形成する際にヒロック発生を防止できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板側から下部電極と上部電極が、間に有機発光材料を含む発光素子層を挟んで形成されているエレクトロルミネッセンス素子であって、 前記上部電極は、少なくともその外表面側がAl合金を用いて形成され、 前記上部電極を覆って基板の少なくとも素子形成領域に素子封止保護膜が形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。

IPC (6件)：

H05B 33/04 ,  G09F 9/30 ,  H01L 27/32 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/22 ,  H05B 33/26

FI (5件)：

H05B33/04 ,  G09F9/30 365Z ,  H05B33/14 A ,  H05B33/22 Z ,  H05B33/26 Z

Fターム (18件)：

3K007AB12 ,  3K007AB13 ,  3K007BA06 ,  3K007BB00 ,  3K007CB04 ,  3K007DB03 ,  3K007EC00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  5C094AA31 ,  5C094AA33 ,  5C094AA37 ,  5C094AA38 ,  5C094AA43 ,  5C094BA27 ,  5C094DA07 ,  5C094DA13 ,  5C094EA10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-081378   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 有機電界発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-121226   出願人：松下電器産業株式会社