特許
J-GLOBAL ID:200903060920749974
半導体製造・検査装置用セラミック板
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
安富 康男 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-350532
公開番号(公開出願番号):特開2001-168177
出願日: 1999年12月09日
公開日(公表日): 2001年06月22日
要約:
【要約】【課題】 セラミック基板に反りが発生するのを防止し、この反りに起因して前記セラミック基板上に載置したシリコンウエハに破損等が発生するのを防止することができる半導体製造装置用セラミック板を提供すること。【解決手段】 セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを前記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、前記セラミック基板のJIS R 0601に基づく面粗度は、Rmax=0.1〜250μmであり、かつ、前記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、50%以下であることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック板。
請求項(抜粋):
セラミック基板の表面に半導体ウエハを載置するか、または、半導体ウエハを前記セラミック基板の表面から一定の距離に保持する半導体製造・検査装置用セラミック板において、前記セラミック基板のJIS R 0601に基づく面粗度は、Rmax=0.1〜250μmであり、かつ、前記セラミック基板のウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度が同じであるか、もしくは、ウエハ載置・保持面の面粗度とその反対側面の面粗度との差が、50%以下であることを特徴とする半導体製造・検査装置用セラミック板。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L 21/68 N
, H01L 21/66 B
Fターム (12件):
4M106AA01
, 4M106BA01
, 4M106CA31
, 4M106DD30
, 5F031CA02
, 5F031DA13
, 5F031HA02
, 5F031HA03
, 5F031HA17
, 5F031HA18
, 5F031HA37
, 5F031MA33
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