特許

J-GLOBAL ID：200903060921729543

めっき方法、半導体装置の製造方法、及びめっき装置

発明者： 八尋 和之 ,  金子 尚史 ,  松田 哲朗 ,  豊田 啓 ,  森田 敏行 ,  三島 志朗 ,  永松 貴人 ,  齋藤 晶子 ,  三島 浩二 ,  鈴木 秀直 ,  井出 邦仁 ,  野村 和史
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  株式会社荏原製作所
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194254
公開番号（公開出願番号）：特開2005-029820
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】凹部内にめっきを確実に埋め込むことができるめっき方法、断線し難い半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法、及び満遍なく基板を洗浄することができるめっき装置を提供する。【解決手段】ウェハホルダ25の回転によりウェハWを回転させるとともに水供給ノズル40から水をウェハW上に供給し、ウェハWを洗浄する。ウェハWの洗浄は、水供給ノズル40を移動及びウェハホルダ25の回転数等を変化させながら行う。洗浄を行った後、ウェハWを回転させている状態で、水供給ノズル40からの水の供給を停止し、ウェハWの水切りを行う。水切りを行った後、アノード電極31とカソード電極28との間に電圧を印加し、かつ水供給ノズル40からめっき液をウェハW上に供給して、ウェハW上にめっきを施す。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

表面に凹部が形成された基板の表面に水を供給し、前記基板を洗浄する工程と、 前記洗浄した基板を水切り或いは乾燥する工程と、 前記水切り或いは乾燥した基板の表面にめっき液を供給し、前記基板にめっきを施す工程と、 を具備することを特徴とするめっき方法。

IPC (7件)：

C25D21/08 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D21/00 ,  C25D21/10 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

FI (8件)：

C25D21/08 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 E ,  C25D17/00 L ,  C25D21/00 B ,  C25D21/10 302 ,  H01L21/288 E ,  H01L21/88 M

Fターム (49件)：

4K024AA09 ,  4K024AB08 ,  4K024AB15 ,  4K024BA15 ,  4K024BB11 ,  4K024CB01 ,  4K024CB14 ,  4K024CB19 ,  4K024CB26 ,  4K024DA04 ,  4K024FA01 ,  4K024GA01 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104HH13 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ91 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR11 ,  5F033RR29 ,  5F033XX02