特許
J-GLOBAL ID:200903060925478022

コプレーナ導波路増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉岡 宏嗣 (外2名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-517765
公開番号(公開出願番号):特表2001-502484
出願日: 1997年10月06日
公開日(公表日): 2001年02月20日
要約:
【要約】増幅トランジスタ(150)を含む増幅器(100)はコプレーナ導波路パターンにフリップマウントされている。安定性あるいは/または整合回路の素子は、少なくと一部分はフリップマウントされたトランジスタの下に配されていて、小型設計を可能とすると共に、部品性能を向上する。直列抵抗-分流誘導子対(120,160)がトランジスタ入力あるいは/または出力の近傍に結合した抵抗と共に配されていて、好適には、CPW中心導体(102)内に構成され、一層一貫した部品価値を創出する。調整可能なインピーダンス整合手段(110)も教示された。
請求項(抜粋):
1.平坦な表面を有し電気的に絶縁する基板と、 物理的に互いに分離された少なくとも第1および第2中心線部分を有し、第1および第2信号帰路導体の間に配置された前記表面上に形成され、前記第1部分は入力電極を含み前記第2部分は出力電極を含むCPWパターンと、 入力および出力が前記入力および出力電極とそれぞれ結合するように前記CPWパターンにフリップマウントされている前記入力および出力を有する増幅デバイイスとを具備し、 前記CPWパターンが、前期フリップマウントされている増幅デバイスのフットプリントにより少なくとも一部が重複している前記増幅デバイスに対するインピーダンス変換素子の少なくとも一部分を含むことを特徴とする増幅器。2.前記入力電極はゲート電極であり前記出力電極はドレイン電極であって前記増幅器はソース電極をさらに具備し、 前記インピーダンス変換素子は前記ソース電極と直接結合していることを特徴とする請求項1に記載の増幅器。3.CPWパターンが帯状に構成されていることを特徴とする請求項1に記載の増幅器。4.前記CWPパターンが調整可能な長さのインピーダンス整合スタブをさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の増幅器。5.抵抗が誘導子にほぼ直列に先行するように前記電極の1つに直接的に結合される抵抗を有する直列に接続した誘導子-抵抗対をさらに具備することを特徴とする請求項1に記載の増幅器。6.直流バイアスを与える前記誘導子-抵抗対を介して前記電極の前記の1つに結合した手段をさらに具備することを特徴とする請求項5記載の増幅器。7.前記中心線の第1および第2部分の少なくとも1つがその中に形成された抵抗を含むことを特徴とする請求項1に記載の増幅器。8.出力段増幅器と前記増幅デバイスと前記出力段増幅器との間の前記CPWパターンに形成された伝送セグメントとをさらに具備し、前記伝送セグメントが既定の長さであって、前記増幅デバイスの出力インピーダンスを前記出力段増幅器と共に低ノイズ整合に向けて回転し、前記出力段増幅器の入力インピーダンスを前記増幅デバイスと共に高利得整合に向けて回転することを特徴とする請求項1に記載の増幅器。9.出力段増幅器と前記増幅デバイスと前記出力段増幅器との間に形成された伝送セグメントとをさらに具備し、前記伝送セグメントは既定の長さであって、出力段増幅器の入力インピーダンスを前記増幅デバイスから分かるように、パワーに対するインピーダンス整合に向けて回転することを特徴とする請求項1に記載の増幅器。10.前記伝送セグメントが容量素子を含むことを特徴とする請求項8に記載の増幅器。11.増幅デバイスに送出されるインピーダンスがほぼΓoptであることを特徴とする請求項8に記載の増幅器。12.電気的に絶縁する材料からなる基板と、 入力と出力を有する増幅デバイスと、 第1および第2信号帰路導体と、入力電極を内蔵する第1部分と出力電極を内蔵する第1部分から物理的に分離した第2部分とを有する中心導体とを含む前記基板上に形成され、前記増幅デバイスの入力および出力は,前記増幅デバイスが前記第1および第2部分の間の物理的分離をまたいで装填されるように、入力および出力電極にそれぞれ結合しているCPWメタライゼーションパターンと、 前記中心導体の前記第1および第2部分の少なくとも一方の中に形成された抵抗素子とを具備していることを特徴とする増幅器。13.前記抵抗素子が,既定の通過帯域の外側にある前期分流誘導素子により渡される前記抵抗素子周波を介して消散するように前記信号帰路導体の1つに結合している分流誘電素子に結合していることを特徴とする請求項12記載の増幅器。14.前記分流誘電素子を介して前記電極の1つに直流バイアスを送る手段を具備していることを特徴とする請求項13に記載の増幅器。15.前記入力電極がゲート電極であり前記出力電極がドレイン電極であって,前記CPWパターンが前記信号帰路導体の1つに結合した少なくとも1つのソース電極をさらに含み,前記ソース電極はそれと直接結合したインピーダンス変換素子を有することを特徴とする請求項12に記載の増幅器。16.前記増幅デバイスのフットプリントが前記インピーダンス変換素子と少なくとも部分的に重複することを特徴とする請求項15に記載の増幅器。17.前記CPWパターンが調整可能な長さのインピーダンス整合スタブをさらに具備することを特徴とする請求項12に記載の増幅器。18電気的に絶縁する材料からなる基板と、 中心導体と第1および第2信号帰路導体とを有する前記基板上に形成されたCPWメタライゼーションパターンと、 前記CPWパターンにフリップマウントされた第1および第2段増幅器と、 既定の長さの、前記第1および第2段の間に形成され、前記第1段の出力インピーダンスを前記第2段と共に低ノイズ整合に向かい回転し,前記第2段の入カインピーダンスを前記第1段と共に高利得整合に向かい回転する伝送セグメントとを具備することを特徴とする増幅器。19.前記伝送セグメントが容量素子を含むことを特徴とする請求項18に記載の増幅器。20.前記容量素子が分布キャパシタであることを特徴とする請求項19に記載の増幅器。21.前記中心導体がその中に形成された抵抗素子を含むことを特徴とする請求項18に記載の増幅器,22.前記抵抗素子が、既定の通過帯域の外側にある前記分流誘導素子により渡された前記抵抗素子周波を介して消散のために前記信号帰路導体の1つに結合している分流誘導素子に結合していることを特徴とする請求項21に記載の増幅器。23.前記第1段増幅器に対するインピーダンス変換素子の少なくとも一部分が、前記部分がフリップカウントした第1段増幅器のフットプリントにより重複するように、前記CPWパターン中に配備されていることを特徴とする請求項18に記載の増幅器。24.第1段増幅器に対し与えられたインピーダンスがほぼΓoptであることを特徴とする請求項18に記載の増幅器。25.前記CPWパターンが調整可能な長さのインピーダンス整合スタブをさらに具備することを特徴とする請求項18に記載の増幅器。26.電気的に絶縁された材料からなる基板と, 物理的に互いに分離し,第1および第2信号帰路導体の間に配置されている少なくとも第1および第2中心線部分を有する前記表面上に形成され,前記第1部分は入力電極を内蔵し,前記第2部分は出力電極を内臓するCPWパターンと、 入力および出力がそれぞれ前記入力および出力電極に結合するように、CPWパターンにフリップマウントされている前記入力および出力を有する増幅デバイスと、 前記増幅デバイスに送出されるインピーダンスを調整するように前記CPWパターン中に形成された調整可能なインピーダンス整合手段とを具備することを特徴とする増幅器。27.前記調整可能なインピーダンス整合手段が調整可能な長さのインピーダンス整合スタブを含むことを特徴とする請求項26記載の増幅器。28.前記インピーダンス整合スタブが、1次スタブとそこから既定の距離を離間した少なくとも1つの接点パッドとを含み,伝導リード線による前記1次スタブの前記接点パッドへの接続がインピーダンス整合目的に対し前記1次スタブの長さを効率的に増大することを特徴とする請求項27に記載の増幅器。29.前記調整可能なインピーダンス整合手段が、前記増幅デバイスがほぼΓoptの入力インピーダンスが分かるように、前記増幅デバイスに送出されるインピーダンスを調整することを特徴とする請求項26に記載の増幅器。
IPC (5件):
H03F 3/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/822 ,  H01L 25/00 ,  H01L 27/04
FI (4件):
H03F 3/60 ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 25/00 B ,  H01L 27/04 A

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