特許

J-GLOBAL ID：200903060926819540

レジストパターン形成方法

発明者： 上澤 史且
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-249801
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077317
出願日： 1998年09月03日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】露光波長以下の高解像度が実現された微細パターンを形成できるレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板1上にレジスト5を塗布する工程と、前記レジスト5に、所定のパターンを有するレチクル4をマスクとして第1の露光を行い、前記レジスト樹脂の露光部分の重合状態を変化させる工程と、前記レジスト5にシリコン化合物を拡散させ、前記レジスト表面の一部を選択的にシリル化する工程と、シリル化された部分6とシリル化されていない部分で、透過光の位相が反転するように、前記レジスト5に第2の露光を行う工程と、前記レジスト5の現像を行い、前記レジスト5に微細パターンを形成する工程とを有するレジストパターン形成方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にレジストを塗布する工程と、前記レジストに、所定のパターンを有するレチクルをマスクとして、第1の露光を行い、前記レジスト樹脂の露光部分の重合状態を変化させる工程と、前記レジストにシリコン化合物を拡散させ、前記レジスト表面の一部を選択的にシリル化する工程と、シリル化された部分とシリル化されていない部分で、透過光の位相が反転するように、前記レジストに第2の露光を行う工程と、前記レジストの現像を行い、前記レジストに微細パターンを形成する工程とを有するレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/30 570 ,  G03F 7/38 512 ,  H01L 21/302 H

Fターム (19件)：

2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096DA03 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096FA02 ,  2H096JA10 ,  2H096KA01 ,  5F004DB23 ,  5F004EA00 ,  5F004EA04 ,  5F004EA26 ,  5F004FA01 ,  5F046AA13 ,  5F046BA08 ,  5F046CA03 ,  5F046NA05 ,  5F046NA09 ,  5F046NA11