特許

J-GLOBAL ID：200903060930729092

マイクロマシンの製造方法

発明者： 木下 隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-104967
公開番号（公開出願番号）：特開2004-306218
出願日： 2003年04月09日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：

【課題】特別な製造装置を用いることなく、かつパターン精度良好に可動部を形成することが可能なマイクロマシンの製造方法を提供する。【解決手段】基板8上にパターン形成された犠牲層8を覆う状態で、絶縁性の構造体膜11と導電膜13とをこの順に形成する。第1レジストパターン201をマスクに用いて犠牲層9上の導電膜13部分を可動部形状にエッチングする。第1レジストパターン201を除去すると共に導電膜13の表面の腐食処理を行った後、導電膜13をマスクにして犠牲層9上の構造体膜11部分を可動部形状にエッチングし、犠牲層9の一部を露出させる。犠牲層9の上方を覆う第2レジストパターン203をマスクに用いて構造体膜11上の導電膜13部分を配線パターン13aの形状にエッチングする。第2レジストパターン203を除去した後、犠牲層9を選択的に除去して可動部15の下部に空間部aを形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上にパターン形成された犠牲層を覆う状態で、当該基板上に絶縁性の構造体膜と導電膜とをこの順に形成する第1工程と、 第1レジストパターンをマスクに用いて前記犠牲層上の導電膜部分を可動部形状にエッチングする第2工程と、 前記第1レジストパターンを除去すると共に前記導電膜の表面の腐食処理を行った後、前記導電膜をマスクにして前記犠牲層上の構造体膜部分を可動部形状にエッチングし、前記犠牲層の一部を露出させる第3工程と、 前記犠牲層の上方を覆う第2レジストパターンをマスクに用いて前記構造体膜上の導電膜部分を配線パターン形状にエッチングする第4工程と、 前記第2レジストパターンを除去した後、前記犠牲層を選択的に除去して前記可動部形状の下部に空間部を形成する第5工程とを行う ことを特徴とするマイクロマシンの製造方法。

IPC (3件)：

B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08

FI (3件)：

B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 E

Fターム (6件)：

2H041AA13 ,  2H041AA14 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ02 ,  2H041AZ08