特許
J-GLOBAL ID：200903060948423900
超音波トランスデューサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奈良 武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-225940
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070497
出願日： 1994年08月26日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 小型化および高周波数帯域化に適する超音波トランスデューサの構造とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 圧電素子1と、圧電素子1の一方の面(放射面)に形成された音響整合層12と、圧電素子の他方の面(背面)に形成された背面負荷材13とを基本構成要素とする超音波トランスデューサ11において、超音波トランスデューサ11が、圧電素子1と、背面制動材13の正面に一体化されているとともに圧電素子1の背面に形成された表面電極と接合されている第1の導体層4と、音響整合層12の背面に一体化されているとともに圧電素子1の放射面に形成された表面電極と接合されている第2の導体層5と、導体薄膜により形成されているとともに、第1の導体層6および第2の導体層5と電気的に接続されているとともに互いに電気的に絶縁された2つの電極端子から構成される。
請求項（抜粋）：
圧電素子と、圧電素子の一方の面(放射面)に形成された音響整合層と、圧電素子の他方の面(背面)に形成された背面負荷材とを基本構成要素とする超音波トランスデューサにおいて、超音波トランスデューサが、圧電素子と、背面制動材の正面に一体化されているとともに圧電素子の背面に形成された表面電極と接合されている第1の導体層と、音響整合層の背面に一体化されているとともに圧電素子の放射面に形成された表面電極と接合されている第2の導体層と、導体薄膜により形成されているとともに、第1の導体層および第2の導体層と電気的に接続されているとともに互いに電気的に絶縁された2つの電極端子から構成されていることを特徴とする超音波トランスデューサ。
IPC (3件)：
H04R 17/00 330
, A61B 8/00
, G01N 29/04
