特許

J-GLOBAL ID：200903060949201099

強誘電体材料および該材料をゲートとして用いたMFSFET

発明者： 井上 俊春
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 友松 英爾 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-076483
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058222
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 本発明においては、ゲート上に形成する強誘電体薄膜材料としてBiとTiの複合酸化物、BiとPbとTiの複合酸化物を使用する場合に、該材料中にさらに特定の元素を添加することによって上記のような該材料の不安定性を低減し、デバイスとしての動作を安定向上させることを目的とする。【構成】 ビスマス・チタン複合酸化物(BTO)またはビスマス・鉛・チタン複合酸化物(BPTO)に、該BTOまたはBPTOがn型の場合にはアクセプタとなりうる元素、また該BTOまたはBPTOがp型の場合にはドナーとなりうる元素を添加したもので構成され、また該元素の添加量は、1元素あたり3重量%以下であることを特徴とする強誘電体材料。

請求項（抜粋）：

ビスマス・チタン複合酸化物(以下、BTOという)に、該BTOがn型の場合にはアクセプタとなりうる元素、また該BTOがp型の場合にはドナーとなりうる元素を添加したもので構成され、また該元素の添加量は、1元素あたり3重量%以下であることを特徴とする強誘電体材料。

IPC (3件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792