半導体材料の製造工程における露光条件の決定方法、及び半導体材料の製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058091
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260683
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】露光条件フィードバックシステムの使用の際、適正な露光条件が得られ、オーバーレイや線幅の制御精度等を高められ、再作業工程の低減、工程時間の短縮、新技術への対応ができ、製品の性能の向上も図り得る半導体材料の製造工程における露光条件の決定方法、及び半導体材料の製造装置を提供する。【解決手段】 ?@露光工程を備える半導体装置の製造工程において、露光2の条件を決定する露光条件の決定する際に、過去に処理された同露光工程の後に行われるエッチング工程Y等の工程での測定データを使用する。?A露光工程を含むフォトリソグラフィ工程Xと、エッチング工程Yを備えて半導体材料を製造する半導体材料の製造装置で、過去に処理された同露光工程Xの後に行われるエッチング工程Y終了後の測定データを取り込んで露光条件を決定する手段と、この露光条件によって露光を行う手段を有する

請求項（抜粋）：

露光工程を備える半導体装置の製造工程において、露光条件を決定する露光条件の決定方法であって、過去に処理された測定データを使って露光条件を決定する際に、過去に処理された同露光工程の後に行われる工程での測定データを使用することを特徴とする半導体材料の製造工程における露光条件の決定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521 , H01L 21/3065 , H01L 21/02

FI (4件)：

H01L 21/30 502 G , G03F 7/20 521 , H01L 21/02 Z , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平2-089305
特開平2-089305
特開平4-136853

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