特許

J-GLOBAL ID：200903060959365405

パターン形成方法、アクティブマトリックス基板及びその製造方法、電子機器

発明者： 小出 慎 ,  中澤 尊史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-361564
公開番号（公開出願番号）：特開平11-194363
出願日： 1997年12月26日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】 画素領域に設けられるTFTは周辺駆動回路を構成するTFTに比べてそれほど高いコンダクタンスを必要としないにもかかわらず、従来は画素領域のTFTも周辺駆動回路のTFTも同一のゲート幅を有するようにされていたため、画素領域のTFTのオフ時のリーク電流が大きいという問題点があった。【解決手段】 液晶パネルの画素領域に設けられるTFTのポリシリコン動作層(12)を形成するためのフォトレジスト(13)の露光工程を2段階に分け、2回目の露光はテーブルもしくは露光用マスク(14)をポリシリコン層のチャネル幅方向へ移動させてから行なうようにした。

請求項（抜粋）：

基板上に所定のパターンを形成するパターン形成方法において、前記基板上にフォトレジスト膜を塗布した後、マスクにより露光を行ない第1のパターンを形成する第1の工程と、前記基板を前記マスクに対して相対的に移動させ、露光を行なう第2の工程と、を少なくとも有することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (6件)：

G02F 1/136 500 ,  G03F 7/20 521 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/027

FI (7件)：

G02F 1/136 500 ,  G03F 7/20 521 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 D ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 627 C ,  H01L 21/30 514 A