特許

J-GLOBAL ID：200903060960488111

X線反射率測定方法およびX線反射率測定装置

発明者： 高田 一広 ,  野間 敬
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-141452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-337507
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】 試料の表面にX線を照射し、その試料の表面で反射されたX線の反射率を測定して試料の構造を評価する際、試料の微小領域の構造を評価することができるX線反射率測定装置を実現する。【解決手段】 測定試料1の表面には、粒子径の揃った粉末から成る結晶体2が散布されている。測定試料1の表面側に配置されたX線発生装置3からのX線が、スリット4aおよび4bから成るコリメーター4を介して結晶体2に照射される。結晶体2に照射されたX線は結晶体2により回折され、回折されたX線が、測定試料1の表面で全反射するように測定試料1の表面に対して小さい角度で測定試料1の表面に入射する。ここで、結晶体2で回折したX線を測定試料1に入射させることにより、測定試料1表面でのX線の照射領域の幅が小さくなる。測定試料1の表面で反射されたX線は、スリット7およびモノクロメーター6を経てX線検出器8で検出される。

請求項（抜粋）：

試料の表面にX線を照射した時に該試料により反射されたX線の強度および、該強度の角度依存性を測定することで前記試料の、前記X線が照射された部分の構造を評価するためのX線反射率測定方法において、前記試料の表面の近傍に結晶体を配置する段階と、X線を発生させる段階と、前記X線を平行化する段階と、平行化された前記X線の少なくとも一部を前記結晶体により回折させて前記試料の表面に斜めに入射させる段階と、前記試料の表面で反射されたX線を検出して該X線の強度および、該強度の角度依存性を測定する段階とを有することを特徴とするX線反射率測定方法。