特許

J-GLOBAL ID：200903060966161912

光電半導体素子

発明者： ゴットフリート ラントヴェーア ,  マルクス カイム ,  ギュンター ロイシャー ,  トーマス リッツ ,  ティエリー バロン ,  フランク フィッシャー ,  ハンス-ユルゲン ルガウアー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-532447
公開番号（公開出願番号）：特表2001-511310
出願日： 1998年01月29日
公開日（公表日）： 2001年08月07日
要約：

【要約】第1の導電形の少なくとも1つのドーピングし難い半導体層が配属されているビーム放射活性層列を備えた光電半導体素子。ドーピングし難い半導体層とこれに配属されている、半導体基体のコンタクト層との間に、第1の導電形の第1の高ドーピングされた縮退接合層および第1の導電形とは反対の第2の導電形の第2の高ドーピングされた縮退接合層が配置されている。

請求項（抜粋）：

電磁ビームを発生するために適している半導体基体(12)を有する光電半導体素子であって、半導体サブストレート(8)の上に、活性層(3)が配置されており、該活性層内に、前記半導体基体(12)に電流が流れる際に電磁ビームが発生されかつ該活性層には、第1の導電形のドーピングし難い半導体層、例えばZnを有するpドーピングされたII-VI半導体層、GaNを有するpドーピングされたII-V半導体層またはCdTeを有するnドーピングされたII-VI半導体層が配属されている形式のものにおいて、前記ドーピングし難い半導体層と該半導体層に配属されている、半導体基体のコンタクト層(9)との間の電気的なキャリア源として、第1の導電形の第1の高ドーピングされた縮退接合層(6)と第1の導電形とは反対の第2の導電形の第2の高ドーピングされた縮退接合層(7)とを有する逆方向に極性付けられた層列が配置されており、その際第1の高ドーピングされた縮退接合層(6)は前記ドーピングし難い半導体層と第2の高ドーピングされた縮退接合層(7)との間に存在していることを特徴とする光電半導体素子。

IPC (2件)：

H01S 5/347 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 5/347 ,  H01L 33/00 D

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公昭35-014890
  
• 特開平4-063479
  
• 特開平4-288890
  
• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-064528   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー