特許
J-GLOBAL ID：200903060970144852
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172678
公開番号（公開出願番号）：特開平8-037218
出願日： 1994年07月25日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：
【要約】【目的】スクラインブライン領域上のポリイミドからなる保護膜をエッチング除去するときに生じるモニター用MOSトランジスタの特性変動を防止する。【構成】モニター用MOSトランジスタ23を絶縁膜27を介して接地された導電性膜28で被覆し、その後保護膜37のプラズマエッチングを行う。これにより、プラズマエッチング工程でチャージアップが生じても、モニター用MOSトランジスタ23は導電性膜28によって電気的にシールドされるので、その影響を受けず、しきい値電圧の変動を防止することができる。
請求項（抜粋）：
LSI形成領域と、LSI形成領域の周辺に形成されたスクライブライン領域と、スクライブライン領域上に形成された少なくとも一つのモニター用MOSトランジスタとを有する半導体基板の一主面を第1の保護膜と、ポリイミドからなる第2の保護膜とを重ねて被覆した後に、前記LSI形成領域上に形成されたボンディングパッド上とスクライブライン領域上の第2の保護膜をウエットエッチングにより除去し、続いて第1の保護膜をプラズマエッチングにより除去する工程を含む半導体装置の製造方法において、予め前記モニター用MOSトランジスタを絶縁膜を介して導電性膜で被覆し、その後前記導電性膜を接地した状態で第1の保護膜のプラズマエッチング工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, H01L 21/312
, H01L 29/78
