特許
J-GLOBAL ID：200903060970991059
酸化膜の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-238646
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055197
出願日： 1991年08月26日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、基体の表面に、絶緑性の高い酸化膜を形成することが可能な酸化膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 酸素分子を含む気相あるいは溶液を、接触させて基体表面に酸化膜を形成する第1工程と、不活性ガスの気相中において、酸化膜を昇温する第2の工程と、 酸素分子を含む気相中において、第1の工程の温度以上の温度で熱処理することにより、酸化膜中の基体表面を構成する原子と酸素の結合を強くし、かつ前記第1工程で形成された酸化膜の厚さより厚い酸化膜を基体表面に形成する第3の工程、とを少なくとも備えたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
酸素、酸素を含む分子もしくは酸素および/または酸素を含む分子と不活性ガスの混合物の気相、または酸素および/または酸素を含む分子を含有する溶液を、酸化膜を形成しようとする基体の表面に接触させて該基体の表面に酸化膜を形成する第1の工程と、不活性ガスの気相中または真空中において、前記基体表面および前記酸化膜を昇温する第2の工程と、酸素、酸素を含む分子、または酸素および/または酸素を含む分子と不活性ガスの混合物の気相中において、前記基体表面および前記酸化膜を前記第1の工程の温度以上の温度で熱処理することにより、前記酸化膜中の基体表面を構成する原子と酸素の結合を強くし、かつ前記第1工程で形成された前記酸化膜の厚さより厚い酸化膜を前記基体表面に形成する第3の工程、とを少なくとも備えたことを特徴とする酸化膜の形成方法。
引用特許：
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