特許
J-GLOBAL ID：200903060972526345
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-141167
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333929
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】 製造工程を増加することなく、しかも表面を平坦化した金属突起(バンプ)を有する半導体装置を得る。【構成】 半導体基板1の表面上に金属電極3を形成し、この金属電極3を覆う保護絶縁膜4を形成し、これに形成しようとするバンプの厚さ寸法よりも小さい平面寸法の開口部5を開設して金属電極3を露呈させる。更に、開口部5を含む保護絶縁膜4の表面上にバリアメタル6を形成し、かつバンプ7を形成する領域以外にレジストマスクを形成し、レジストマスクを利用してメッキ法によりバリアメタル上に所要厚さのバンプ7を形成することで、表面が平坦化されたバンプ7を得る。なお、レジストマスクを除去し、露呈されたバリアメタル6をバンプを利用して除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された電極と、この電極を被覆する保護絶縁膜と、この保護絶縁膜に開設されて前記電極を露呈させる所要寸法の開口部と、この開口部を含む前記保護絶縁膜の表面上に形成される金属突起とを備え、前記開口部の平面寸法は前記金属突起の厚さ寸法よりも小さくしたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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