特許

J-GLOBAL ID：200903060973241557

半導体基板及びその製造方法

発明者： 原 一都 ,  原 邦彦 ,  宮嶋 健 ,  戸倉 規仁
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-175045
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027489
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】PN接合のリーク電流をなくすとともに、導電性物質が貫通型結晶欠陥内部に再分布するのを防止する。【解決手段】第一導電型のn+ 型単結晶炭化珪素基板1とこの上に形成された第一導電型のn- 型エピタキシャル炭化珪素層2の二層からなり、n- 型エピタキシャル炭化珪素層2の上面側を表面側とし、n+ 型単結晶炭化珪素基板1の下面側を裏面側とする単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、この半導体基板の表面側に第2導電型の単結晶炭化珪素よりなるp型エピタキシャル炭化珪素層3を形成する半導体層形成工程と、少なくともp型エピタキシャル炭化珪素層3内に発生した貫通型結晶欠陥4を熱酸化して、貫通型結晶欠陥4の内壁に熱酸化膜5を形成する熱酸化膜形成工程とを具備する。

請求項（抜粋）：

単結晶炭化珪素よりなる半導体基板を形成する半導体基板形成工程と、この半導体基板形成工程において前記半導体基板内に発生した貫通型結晶欠陥を熱酸化して、該貫通型結晶欠陥の内壁に熱酸化膜を形成する熱酸化膜形成工程と、を具備したことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/76

FI (5件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 R