特許

J-GLOBAL ID：200903060975862389

露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法

発明者： 大嵜 由美子 ,  川島 美代子
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157854
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349011
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】多重露光を行う場合において、周期構造を有するパターンに光近接効果によるパターン歪みの補正を行うことのできるように工夫を施して、良好なパターンを得ること。【解決手段】多重露光において、前記第1のパターンは、微細線を解像するための周期構造を有するパターンであって、該第1のパターンに前記第2のパターンの露光における光近接効果によるパターン歪みの補正を行うための領域を形成する。

請求項（抜粋）：

被露光基板に対して第1のパターンによる露光と第2のパターンによる露光を含む多重露光を行う露光方法において、前記第1のパターンは、微細線を解像するための周期構造を有するパターンであって、該第1のパターンに前記第2のパターンの露光における光近接効果によるパターン歪みの補正を行うための領域を形成したことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 514 A ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521

Fターム (19件)：

2H095BA05 ,  2H095BB02 ,  2H095BB03 ,  2H095BB28 ,  2H095BB34 ,  5F046AA13 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046BA08 ,  5F046CA04 ,  5F046CB05 ,  5F046CB13 ,  5F046CB17 ,  5F046CB23 ,  5F046DA01 ,  5F046DA02 ,  5F046DA11 ,  5F046GA04 ,  5F046GC04