露光方法、露光装置、およびデバイス製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-157854
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349011
出願日： 1999年06月04日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
要約：

【要約】【課題】多重露光を行う場合において、周期構造を有するパターンに光近接効果によるパターン歪みの補正を行うことのできるように工夫を施して、良好なパターンを得ること。【解決手段】多重露光において、前記第1のパターンは、微細線を解像するための周期構造を有するパターンであって、該第1のパターンに前記第2のパターンの露光における光近接効果によるパターン歪みの補正を行うための領域を形成する。

請求項（抜粋）：

被露光基板に対して第1のパターンによる露光と第2のパターンによる露光を含む多重露光を行う露光方法において、前記第1のパターンは、微細線を解像するための周期構造を有するパターンであって、該第1のパターンに前記第2のパターンの露光における光近接効果によるパターン歪みの補正を行うための領域を形成したことを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521

FI (3件)：

H01L 21/30 514 A , G03F 1/08 D , G03F 7/20 521

Fターム (19件)：

2H095BA05 , 2H095BB02 , 2H095BB03 , 2H095BB28 , 2H095BB34 , 5F046AA13 , 5F046AA25 , 5F046BA03 , 5F046BA08 , 5F046CA04 , 5F046CB05 , 5F046CB13 , 5F046CB17 , 5F046CB23 , 5F046DA01 , 5F046DA02 , 5F046DA11 , 5F046GA04 , 5F046GC04

引用特許：

出願人引用 (5件)

露光方法及び露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-304232 出願人：キヤノン株式会社
回路パターンの形成方法及びそれに用いられるレチクル
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-006394 出願人：株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
露光方法、該方法を使用するリソグラフィシステム、及び前記方法を用いるデバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-338582 出願人：株式会社ニコン

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