特許
J-GLOBAL ID：200903060976495967
半導体レーザの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-241474
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013880
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】高性能の半導体レーザを歩留まりよく製造することができる、半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】埋込み層としての (109)ZnS0.06Se0.94層を有機金属化学気相成長法により形成する際に、II族原料としてDMZn-DMSe付加体を使用することにより、低い温度での形成を可能にし、形成時の熱による各層の結晶性の悪化を防止する。同時に、かかる方法で埋込み層を形成することにより、結晶性に優れ、十分な均一性を有する埋込み層を得ることができる。また、かかる(109)埋込み層を反応性イオンビームエッチング法を用いてエッチングすることによって共振器の上面と埋込み層の上面との段差が生じないようにし、 (110)電極の断面等の不良の発生を抑制する。
請求項（抜粋）：
半導体基板に垂直な方向に光を出射するように当該半導体基板に垂直な方向に形成されたの共振器を有し、該共振器を形成する半導体層の少なくとも一層が柱状に形成された面発光型の半導体レーザの製造方法において、前記柱状の半導体層の周囲に、II-VI族化合物半導体層を、II族有機化合物およびVI族有機化合物からなる付加体とVI族水素化物とを原料として、有機金属化学気相成長法により形成する工程を含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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