特許

J-GLOBAL ID：200903060978752517

磁気センサ

発明者： 川元 美詠子 ,  清水 信吉 ,  遠藤 みち子 ,  倉島 茂美
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-150590
公開番号（公開出願番号）：特開平5-341026
出願日： 1992年06月10日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】 本発明は磁気センサに関し、バイアス磁界発生用磁石からの磁界方向と、磁気抵抗素子のバイアス磁界方向とを一致させ不平衡電圧の発生を防止した磁気センサを実現することを目的とする。【構成】 磁気抵抗パターンでブリッジ回路を構成した磁気抵抗素子12と、該磁気抵抗素子12にバイアス磁界を印加するバイアス磁石11とを具備してなる磁気センサにおいて、上記バイアス磁石11に等方性磁石を用い、着磁の角度によって磁気抵抗素子12に生ずる不平衡電圧を調整するように構成する。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗パターンでブリッジ回路を構成した磁気抵抗素子(12)と、該磁気抵抗素子(12)にバイアス磁界を印加するバイアス磁石(11)とを具備してなる磁気センサにおいて、上記バイアス磁石(11)に等方性磁石を用い、着磁の角度によって磁気抵抗素子(12)に生ずる不平衡電圧を調整することを特徴とする磁気センサ。

IPC (4件)：

G01R 33/06 ,  G01B 7/00 ,  G01D 5/245 ,  H01L 43/08