特許
J-GLOBAL ID：200903060979050630
単結晶体の製造方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-000341
公開番号（公開出願番号）：特開平6-211592
出願日： 1993年01月05日
公開日（公表日）： 1994年08月02日
要約：
【要約】【目的】 単結晶体の酸素析出量が場所によらず均一となるようにすること。【構成】 加熱制御装置40から供給される電力により所望の部位のみを加熱部として機能させるとともに、給水装置45から供給される冷却水によって該加熱部以外を冷却部として機能させる高周波コイル30を、単結晶体Sの引き上げ経路中、引き上げられる単結晶体Sの外周面近傍となる位置に当該単結晶体Sを取り囲むように配置し、単結晶体Sが所定の距離引き上げられるまでは高周波コイル30に所定の電力を供給して引き上げられる単結晶体Sの外周面所定部位を徐冷する一方、他の部位を急冷し、その後は、高周波コイル30への供給電力を低減して単結晶体Sの外周面の徐冷の程度を弱める。
請求項（抜粋）：
るつぼ内で溶融する融液に種結晶を接触させ、この種結晶を徐々に引き上げることで単結晶体を成長させる単結晶体の製造方法において、内部に冷却材が流通する中空状の金属チューブが螺旋状に巻回され、部分的に発熱可能な高周波コイルを、当該単結晶体の引き上げ経路中、引き上げられる単結晶体の外周面近傍となる位置に当該単結晶体を取り囲むように配置し、前記高周波コイルの所望の部分を発熱させて当該引き上げられる単結晶体の外周面を徐冷すると共に前記高周波コイルの内部に冷却材を流通させて当該単結晶体の冷却を要する部分の外周面を急冷するようにしたことを特徴とする単結晶体の製造方法。
IPC (4件)：
C30B 15/00
, C30B 15/14
, C30B 29/06 502
, H01L 21/208
