特許
J-GLOBAL ID：200903060981230670
ポリイミドパターンの形成方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-058969
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275511
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【構成】本発明は、ポジ型フォトレジストを用いてポリイミド前駆体被膜をパターン化する場合において、ポリイミド前駆体被膜をパターン化した後、ポジ型フォトレジストを剥離する前に、両被膜が形成された基板を加熱することを特徴とするポリイミドパターンの形成方法に関する。【効果】本発明によると、ポジ型フォトレジスト被膜の剥離前に該被膜の形成された基板を加熱するという簡単な処理により、ポリイミド前駆体被膜上のポジ型フォトレジスト被膜の剥離性を大幅に改善することができる。従って、ポリイミド前駆体被膜のパターン化からポジ型フォトレジスト被膜の剥離まで長時間を要する場合であっても、従来のように各プロセスを変更(例えば、剥離液の変更や剥離時間の変更)する必要がないので、半導体の信頼性に影響を及ぼすことがないどころか信頼性の向上に寄与できるものである。
請求項（抜粋）：
下記の(A)〜(G)の工程を経て形成されることを特徴とするポリイミドパターンの形成方法。(A)基板上にポリイミド前駆体を塗布した後、プリベークを行いポリイミド前駆体被膜を形成する工程、(B)該被膜上にポジ型フォトレジストを塗布した後、プリベークを行いポジ型フォトレジスト被膜を形成する工程、(C)該ポジ型フォトレジスト被膜を選択的に露光する工程、(D)該ポジ型フォトレジスト被膜の現像後または現像と同時に、下層のポリイミド前駆体被膜を選択的に除去しパターン化する工程、(E)該ポジ型フォトレジスト被膜および該ポリイミド前駆体被膜の形成された基板を加熱する工程、(F)該ポジ型フォトレジスト被膜を剥離する工程、(G)該基板上のパターン化されたポリイミド前駆体被膜を熱処理する工程。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26
, G03F 7/42
, H01L 21/312
, C08G 73/10
H01L 21/30 361 G
, H01L 21/30 361 R
