特許

J-GLOBAL ID：200903060981331859

配線基板とそれを用いた半導体素子収納用パッケージおよびその実装構造

発明者： 浜田 紀彰 ,  山口 浩一 ,  米倉 秀人 ,  民 保秀 ,  東 昌彦 ,  古久保 洋二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253439
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074153
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】有機樹脂を含む外部電気回路基板に対して、実装した場合、電気的接続を安定に行うことができず、信頼性に欠けるものであった。【解決手段】Cuなどのメタライズ配線層を絶縁基板の表面あるいは内部に配設した配線基板あるいは半導体素子収納用パッケージAにおいて、絶縁基板1をLi2 Oを5〜30重量%含有し、屈伏点が400°C〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、必須成分としてフォルステライトとクオーツとをその総量が20〜80体積%となるように含む成形体を焼成して得られた40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体により構成し、これを少なくとも有機樹脂を含む絶縁体の表面に配線導体8が被着形成された外部電気回路基板B上に実装する。

請求項（抜粋）：

絶縁基板の表面あるいは内部にメタライズ配線層が配設された配線基板において、前記絶縁基板が、Li2 Oを5〜30重量%含有し、屈伏点が400°C〜800°Cのリチウム珪酸ガラスを20〜80体積%と、少なくともフォルステライトとクオーツを含むフィラー成分を総量で20〜80体積%の割合で含む成形体を焼成して得られた40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が8〜18ppm/°Cの焼結体からなることを特徴とする配線基板。