特許
J-GLOBAL ID：200903060983522880
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-191847
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029906
出願日： 1993年07月07日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 金の有する低抵抗率の利点を活かしつつ、周囲の他の材料への金原子の移動を阻止し、高速動作および高信頼性を同時に満足させる。また、製作プロセス上の温度の制約を緩和し、製作プロセスの自由度を向上させる【構成】 Au層2と、このAu層2の周囲材料としてのシリコン基板1および絶縁層51,52との界面には約800°Cまで金の拡散を阻止する性質を有するシリコンおよび窒素を含む金属化合物としてのWSiN層61,62が形成されている。つまり、シリコン基板1および絶縁層51,52に囲まれるAu層2がその全周囲をWSiN層61,62により囲まれて構成されることによって金原子のシリコン基板1および絶縁層51,52への移動が阻止される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に少なくとも電極層,配線層が形成された半導体装置において、前記電極層,配線層の少なくとも一部が金または金合金から構成され、前記金または金合金がその周囲の他の材料と接する部分が少なくともシリコンおよび窒素を含む金属化合物により構成されることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 M
, H01L 21/88 Q
