特許
J-GLOBAL ID:200903060986572927

電子放出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 上代 哲司 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-006587
公開番号(公開出願番号):特開平9-199001
出願日: 1996年01月18日
公開日(公表日): 1997年07月31日
要約:
【要約】【課題】 表面から効率的に電子を放出させることができ、長時間動作が可能な電子放出装置を提供する。【解決手段】 金属体と、前記金属体と接合されたダイヤモンド、AlN,BN等の負性電子親和力を有する半導体と、前記金属体および前記半導体とは電気的に絶縁され前記半導体との間が空間であるように配置された電極と、を備えることを特徴とする。半導体を厚み10nm程度以下の薄膜とし、また半導体の表面を水素原子で終端することにより、優れた電子放出特性が得られる。
請求項(抜粋):
金属体と、前記金属体と接合された負性電子親和力を有する半導体と、前記金属体および前記半導体とは電気的に絶縁され前記半導体との間が空間であるように配置された電極と、を備えることを特徴とする電子放出装置。
IPC (4件):
H01J 1/30 ,  B01J 19/12 ,  C30B 29/04 ,  H01J 37/073
FI (4件):
H01J 1/30 C ,  B01J 19/12 C ,  C30B 29/04 W ,  H01J 37/073
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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