特許

J-GLOBAL ID：200903060993514487

強誘電体薄膜およびその製造方法

発明者： 笹村 茂 ,  白川 幸彦 ,  山本 恭之 ,  川口 行雄
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-172020
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017245
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 残留分極値が大きく、かつ誘電率が低い強誘電体薄膜を提供する。【構成】 焼結ターゲットを用いてスパッタ法により形成した薄膜に500〜750°Cで熱処理を施すことにより、式 Bix Fey O3(上記式において、x/y=0.9〜1.8、x+y=2である)で表わされる組成を有し、ペロブスカイト相を含み、残留分極値が2μC/cm2以上で比誘電率が100以下である強誘電体薄膜を作製する。

請求項（抜粋）：

式 Bix Fey O3(上記式において、x/y=0.9〜1.8、x+y=2である)で表わされる組成を有し、ペロブスカイト相を含み、残留分極値が2μC/cm2以上であることを特徴とする強誘電体薄膜。

IPC (3件)：

H01B 3/12 318 ,  C01G 49/00 ,  H01B 3/00