特許

J-GLOBAL ID：200903061013820761

低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びにそれを用いた配線基板

発明者： 福田 憲次郎 ,  古久保 洋二 ,  國分 正也 ,  東 昌彦 ,  中尾 吉宏
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-332657
公開番号（公開出願番号）：特開2002-137960
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月14日
要約：

【要約】【課題】低温で焼成でき、高熱膨張係数、低誘電損失、かつ熱サイクル後の強度低下が小さく、特に配線基板等の絶縁基板として好適に使用できる低温焼成磁器組成物および低温焼成磁器並びに該磁器を絶縁基板として用いて成る配線基板を提供する。【解決手段】SiをSiO2換算で55〜70重量%と、BaをBaO換算で20〜40重量%と、BをB2O3換算で1〜5重量%と、AlをAl2O3換算で1〜8重量%と、ZrをZrO2換算で0重量%より多く7重量%以下との割合で含有してなる組成物であって、該組成物中にクォーツ結晶を30重量%以上の割合で含有する低温焼成磁器組成物を配線基板Aの絶縁基板1として用いる。

請求項（抜粋）：

全量中にSiをSiO2換算で55〜70重量%と、BaをBaO換算で20〜40重量%と、BをB2O3換算で1〜5重量%と、AlをAl2O3換算で1〜8重量%と、ZrをZrO2換算で0重量%より多く7重量%以下との割合で含有してなる組成物であって、該組成物中にクォーツ結晶を30重量%以上の割合で含有することを特徴とする低温焼成磁器組成物。

IPC (4件)：

C04B 35/14 ,  C04B 35/16 ,  H01L 23/15 ,  H05K 1/03 610

FI (4件)：

C04B 35/14 ,  H05K 1/03 610 D ,  C04B 35/16 Z ,  H01L 23/14 C

Fターム (8件)：

4G030AA10 ,  4G030AA17 ,  4G030AA35 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030BA12 ,  4G030BA21 ,  4G030CA01