特許

J-GLOBAL ID：200903061014211734

窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法

発明者： 山田 元量 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085492
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275868
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 p-n接合型の窒化ガリウム系化合物半導体を利用した発光素子の発光出力、発光効率を向上させるための窒化ガリウム系化合物半導体のn型層、およびp型層とオーミック接触が得られる電極の形成方法を提供する。【構成】 電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体、または電子キャリア濃度1×1015/cm3以上のp型窒化ガリウム系化合物半導体に、クロムおよび/またはニッケルを含む合金、または該金属を付着した後、アニーリングする。

請求項（抜粋）：

電子キャリア濃度1×1017/cm3以上のn型窒化ガリウム系化合物半導体、または正孔キャリア濃度1×1015/cm3以上のp型窒化ガリウム系化合物半導体に、クロムおよび/またはニッケルを含む合金、または該金属を付着した後、アニーリングすることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の電極形成方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭49-029771
  
• 特開平4-213878
  
• 特開平4-068579