特許

J-GLOBAL ID：200903061022755450

樹脂封止型半導体装置及びその製造方法

発明者： 植栗 徹 ,  藤田 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東部セミコンダクタ株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235438
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060598
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：

【要約】【課題】 半導体チップの大きさを変えることなく薄型化、小型化する。半導体チップの電極とインナーリードとのワイヤボンディングを容易にする。【解決手段】 半導体基板の素子が形成される第1主面上に第1電極及び第2電極が形成され、前記第1主面と対向す第2主面上に第3電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの第1電極、第2電極、及び第3電極のそれぞれに電気的に接続されたリードと、前記半導体チップ、リード、及び半導体チップとリードとの接続部分を封止する樹脂からなる樹脂封止型半導体装置であって、前記第1電極及び第2電極のそれぞれと前記リードはバンプ導体で接続され、前記第3電極と前記リードはワイヤ導体で接続されてなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の素子が形成される第1主面(表面)上に第1電極及び第2電極が形成され、前記第1主面と対向する第2主面(裏面)上に第3電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップの第1電極、第2電極、及び第3電極のそれぞれに電気的に接続されたリードと、前記半導体チップ、インナーリード、及び半導体チップとインナーリードとの接続部分を封止する樹脂からなる樹脂封止型半導体装置であって、前記第1電極及び第2電極のそれぞれと前記インナーリードはバンプ導体で接続され、前記第3電極と前記インナーリードはワイヤ導体で接続されてなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

Fターム (2件)：

5F044RR08 ,  5F044RR18