特許

J-GLOBAL ID：200903061023280358

強誘電体膜形成方法

発明者： 石原 数也
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-031853
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234443
出願日： 1992年02月19日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 PZT(PbZrxTi1-xO3),PLZT((Pb1-xLax)(ZryTi1-y)1-x/4O3)などのPbを組成に含む強誘電体膜を膜質が良い状態に形成する。【構成】 Pbを含む所定の組成を有する膜を基板1に堆積する。PbまたはPbOを含む雰囲気中で熱処理を行って、上記堆積した膜をペロブスカイト型結晶構造に変化させて強誘電体膜を形成する。8はPbCl2などの粉末、18は常温で液状のアルキルPbである。

請求項（抜粋）：

Pbを含む所定の組成を有する膜を基板に堆積した後、所定の雰囲気中で熱処理を行って、上記堆積した膜をペロブスカイト型結晶構造に変化させて強誘電体膜を形成する強誘電体膜形成方法において、上記雰囲気にPbまたはPbOガスを含むことを特徴とする強誘電体膜形成方法。

IPC (4件)：

H01B 19/00 ,  C01G 21/00 ,  H01B 3/00 ,  H01G 7/06