特許

J-GLOBAL ID：200903061025307601

半導体装置

発明者： 村山 公英 ,  黒川 敦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276533
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130837
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 化合物半導体基板に平坦性に優れた素子分離構造を簡易に形成し、配線を容易ならしめ、当該ICの高集積化、素子分離の強化を図る。【構成】 GaAs基板1の主面に、素子分離用U溝2が形成され、このU溝2にGaAs基板1よりエネルギーギャップの大きい、化合物半導体からなる充填部材(例えばAlXGaYAs)3が充填されている。【効果】 GaAs基板1に平坦性に優れた素子分離構造が形成され、そのアイソレーションの強化も図られる。

請求項（抜粋）：

化合物半導体からなる基体の主面に掘られた溝によって溝分離領域が形成され、該溝分離領域によって囲まれた部分が素子形成領域とされる半導体装置において、上記溝に、基体をなす化合物半導体とは組成の異なる化合物半導体が直接充填されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 29/80 B