特許
J-GLOBAL ID:200903061026404791

バイアス極性ビームプロフィール制御を有する微細加工された超音波トランスデューサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (11件): 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  橋本 良郎 ,  風間 鉄也
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-503208
公開番号(公開出願番号):特表2006-519556
出願日: 2004年01月29日
公開日(公表日): 2006年08月24日
要約:
バイアス極性の交番による高低角位相の制御を有する容量性の微細加工された超音波トランスデューサが開示されている。このような高低角位相の制御の結果として優れたスライスの厚さ属性を有する簡単な超音波プローブが得られる。さらに、位相の厳密な空間的変化は送信開口と開口アポディゼイション制御を実現する効率的な方法を生じる。さらに、このような容量性の微細加工された超音波トランスデューサは損失のある機械的レンズを必要とせずに高低角の焦点集束を実現できる。
請求項(抜粋):
それぞれ1対の電極を有する複数のトランスデューサセルと、 複数のバイアス電圧の1つを各電極対へ与えるように構成されている回路とを具備し、 複数のバイアス電圧は正のバイアス電圧と負のバイアス電圧を含み、 正のバイアス電圧は少なくとも第1の対の電極へ1つのバイアス電圧として与えられ、 負のバイアス電圧は少なくとも第2の対の電極へ1つのバイアス電圧として与えられるトランスデューサ装置。
IPC (1件):
H04R 19/00
FI (1件):
H04R19/00 330
Fターム (7件):
4C601GB06 ,  4C601HH04 ,  4C601HH25 ,  5D019AA01 ,  5D019DD01 ,  5D019FF04 ,  5D019GG03
引用特許:
審査官引用 (1件)

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