特許

J-GLOBAL ID：200903061027124059

選択された注入角度を用いて線形加速器工程を使用した材料の自立膜の製造方法および構造

発明者： フランソワ ジェイ ヘンリー
出願人/特許権者： シリコン・ジェネシス・コーポレーション
代理人 (1件)： 木村 満
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-016141
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244435
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：

【課題】線形加速器工程を使用した材料の自立層を製造する方法およびシステムを提供する。【解決手段】劈開領域内に複数のゲッタリングサイト領域を形成するために線形加速器を用いて生成され第1の注入角度で提供される第1の複数の高エネルギー粒子に半導体基板の表面領域をさらすことを含み、劈開領域は分離される材料の層を画定するよう表面領域の下に設けられ、半導体基板は第1の温度に維持される。線形加速器を用いて生成された第2の複数の高エネルギー粒子に第2の角度で半導体基板の表面領域をさらすことを含み、第2の複数の高エネルギー粒子は第1の応力レベルから第2の応力レベルに劈開領域の応力レベルを上昇させるようにする。第2の複数の高エネルギー粒子は、第2の注入角度で提供される。半導体基板は、第1の温度より高い第2の温度に維持される。次に劈開工程を用いて分離可能な材料の層を取り除く。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一つまたは複数の半導体基板を用いて材料の自立層を製造する方法であって、前記方法は、 表面領域と厚さを有する半導体基板を準備し、 劈開領域内に複数のゲッタリングサイト領域を形成するために線形加速器を用いて生成された第1の複数の高エネルギー粒子に前記半導体基板の表面領域をさらし、前記劈開領域は分離される材料の層を画定するよう前記表面領域の下に設けられ、前記半導体基板は第1の温度に維持され、前記第1の複数の高エネルギー粒子は第1の注入角度で提供され、 前記半導体基板を処理工程にかけ、 前記線形加速器を用いて生成された第2の複数の高エネルギー粒子に前記半導体基板の表面領域をさらし、前記第2の複数の高エネルギー粒子は第1の応力レベルから第2の応力レベルに前記劈開領域の応力レベルを上昇させるように提供され、前記半導体基板は第2の温度に維持され、前記第2の複数の高エネルギー粒子は第2の注入角度で提供され、 劈開工程を用いて分離可能な前記材料の層を取り除く、ことを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/322 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L21/265 Q ,  H01L21/322 J ,  H01L21/265 V ,  H01L31/04 H

Fターム (6件)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB19 ,  5F051CB30 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20