特許

J-GLOBAL ID：200903061031413910

半導体素子の製造方法

発明者： 吉田 哲久 ,  北川 雅俊 ,  平尾 孝
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-136983
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008252
出願日： 1994年06月20日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 金属/半導体界面の抵抗が小さく、特性の良好な半導体素子を、生産性よく作製する事のできる半導体素子の製造方法を提供する。【構成】 真空容器内で、多結晶シリコンからなる半導体基板1上に、予めP或いはB等のドーパントとなる不純物を10モル%以下の濃度で含有するTi,Mo,W等の金属薄膜2を真空蒸着法やスパッタリング法等によって形成する。Ar雰囲気中で試料温度を800°Cとし、ドーパント元素を半導体基板1中に拡散させドーピング層3が形成されると共に金属の珪素化物層4が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体からなる基体あるいは薄膜上に、前記半導体のドーパントとなる元素を含む金属膜を堆積し、前記金属膜の融点以下の温度で熱処理することを特徴とする半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 31/04 H