特許
J-GLOBAL ID:200903061034782517

放射線撮像装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-249053
公開番号(公開出願番号):特開2007-067622
出願日: 2005年08月30日
公開日(公表日): 2007年03月15日
要約:
【課題】 FPDを用いた放射線撮像装置において、変換素子の暗電流成分、特にトラップ準位にトラップされている電荷を十分に初期化することが可能で、かつ消費電力の小さな撮像装置を提供すること。【解決手段】 放射線撮像装置の電源投入後、待機状態において、読み出し回路24の動作が停止され、薄膜トランジスタ2および20a,20b,・・・,20cがオン状態を示し、第1のバイアス回路25および第2のバイアス回路26が動作して、光電変換素子3の初期化を行っている状態を有している。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
放射線を直接又は間接的に電気信号に変換する変換素子と前記変換素子に一端が接続された第1のスイッチ手段とを有する複数の画素が2次元的に配列された放射線撮像装置において、 前記複数の画素の同じ列に属する画素の第1のスイッチ手段の他端に接続された複数の読み出し線と、 前記複数の画素の同じ行に属する画素の第1のスイッチ手段を制御するための複数の走査線と、 前記複数の読み出し線の各々に一端が接続され他端には前記複数の画素をリセットするためのバイアス電圧が供給される複数の第2のスイッチ手段と、 前記複数の第2のスイッチ手段を制御するためのリセット線とを有することを特徴とする放射線撮像装置。
IPC (5件):
H04N 5/335 ,  H04N 5/32 ,  A61B 6/00 ,  G01T 1/20 ,  G01T 1/24
FI (6件):
H04N5/335 E ,  H04N5/32 ,  A61B6/00 300S ,  G01T1/20 E ,  G01T1/20 G ,  G01T1/24
Fターム (25件):
2G088EE29 ,  2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ09 ,  2G088JJ33 ,  2G088KK39 ,  4C093AA01 ,  4C093AA07 ,  4C093AA16 ,  4C093CA01 ,  4C093CA32 ,  4C093EB12 ,  4C093EB17 ,  4C093FA32 ,  5C024AX11 ,  5C024CX32 ,  5C024CY42 ,  5C024GX09 ,  5C024GX16 ,  5C024GY31 ,  5C024HX02 ,  5C024JX41
引用特許:
出願人引用 (1件)

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