特許

J-GLOBAL ID：200903061039586872

プラズマCVDによる成膜方法

発明者： 渡邊 久
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 井上 雅生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-104907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-299358
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月25日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、プラズマCVDの特徴である低基板温度を維持したまま、高成膜速度のプラズマCVDによる成膜方法を提供する。【構成】 不活性ガスを原料ガスと混合して供給し、全圧Pt(torr)と不活性ガス混合割合A(%)が10.2≦Pt≦100かつ、1≦A<100×(1-10/Pt)の条件で低温プラズマを発生させて成膜することにより、従来原料ガスのみで行っていたプラズマCVDの圧力よりも高圧力下でプラズマを発生でき、高速成膜できる。しかも原料ガスはプラズマで活性化されているので成膜は熱CVDよりも低温でできる。

請求項（抜粋）：

不活性ガスを原料ガスと混合して供給し、全圧Pt(torr)と不活性ガス混合割合A(%)が【数1】10.2≦Pt≦100【数2】1≦A<100×(1-10/Pt)の条件で低温プラズマを発生させて成膜することを特徴とするプラズマCVDによる成膜方法。

IPC (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205