特許

J-GLOBAL ID：200903061044611788

厚い超伝導のチャンネル層を具備した高温の超伝導の電界効果トランジスターの製造方法

発明者： 成 建▲ヨン▼ ,  徐 正大
出願人/特許権者： 財団法人韓国電子通信研究所
代理人 (1件)： 富田 和子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-297440
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148729
出願日： 1994年11月30日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】 超伝導のチャンネルの厚い超伝導の電界効果トランジスターの製造方法を提供することを目的とする。【構成】 酸化物の結晶基板30の表面に、テンプレートレーヤー32、YBa2Cu3O7-x層34を順次形成する。YBa2Cu3O7-x層34を、一部除去して(開口部35)、レーヤー32を露出させる。YBa2Cu3O7-xチャンネル層36を60〜100mmの厚さで塗布する。この上にSrTiO3保護層38、SrTiO3絶縁層40を順に形成する。絶縁層40と保護層38の一部分をドライエッチングによって除去し、チャンネル層36の一部を露出させる。チャンネル層36の表面にソース/ドレイン電極44,46を形成する。また、同時に前記開口部35内の絶縁層40上にゲート電極42を形成する。【効果】 生産性および超伝導FETの特性が改善される。

請求項（抜粋）：

厚い超伝導のチャンネルを具備した高温の超伝導の電界効果トランジスターを製造する方法において、パルスレーザー蒸着装置を用いて、酸化物の結晶基板の表面上にテンプレートレーヤーを形成する工程と、前記テンプレートレーヤー上にYBa2Cu3O7-x層を形成する工程と;前記YBa2Cu3O7-x層をパターニングすることで、前記テンプレートレーヤーの一部の表面の部分を露出させる工程と(以下、該露出された領域を”開口部領域”と呼ぶ)、前記YBa2Cu3O7-x層、および、前記露出されたテンプレートレーヤーの表面上に、YBa2Cu3O7-xからなる厚さ60〜100nmのチャンネル層を形成する工程と、前記チャンネル層上にSrTiO3からなる保護層を、さらに、該保護層の上にSrTiO3からなる絶縁層を、形成する工程と、ドライエッチングによって前記絶縁層および保護層の一部を除去することで、上記チャンネル層の一部を露出させる工程と、前記チャンネル層の前記ドライエッチングによって露出された部分に、ソース/ドレイン電極を形成するとともに、前記絶縁層の前記開口部領域に対応する部分にゲート電極を形成する工程と、を包含することを特徴とする高温の超伝導の電界効果トランジスターの製造方法。