特許
J-GLOBAL ID:200903061045388977

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-220106
公開番号(公開出願番号):特開平6-069415
出願日: 1992年08月19日
公開日(公表日): 1994年03月11日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 大電流を高速スイッチングさせて使用する大電力用半導体装置の内部インダクタンスを極めて小さくする。【構成】 放熱板9上に固着された第1の導体11と、この導体上に固着された第1の絶縁層13と、この上に固着された第2の導体15と、この上に固着された半導体素子および第2の絶縁層23と、この上に固着された第3の導体15と、前記半導体素子の表面電極と導体15を電気的に接続する第4の導体17と、導体15上に固着された第1の電力端子3と導体15上に固着された第2の電力端子5とを具備し、その内部インダクタンスを小さくするために、これらの電力端子が、高さより幅の方が長い平板部を持って、平行且つ近接する様に構成され、これら電力端子内を流れる主電流の向きが、互いに逆になる様に構成され、導体15内を流れる主電流と導体17を流れる主電流の向きが互いに逆になる様に構成されている。
請求項(抜粋):
放熱板と、前記放熱板上に固着された第1の導体と、前記第1の導体上に固着された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に固着された第2の導体と、前記第2の導体上に固着された半導体素子および第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に固着された第3の導体と、前記半導体素子の表面電極と前記第3の導体を電気的に接続する第4の導体と、前記第2の導体上に固着された第1の電力端子と、前記第3の導体上に固着された第2の電力端子とを具備したことを特徴とした半導体装置。
IPC (2件):
H01L 25/07 ,  H01L 25/18

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