特許

J-GLOBAL ID：200903061045648901

半導体処理リアクタ

発明者： ディヴィッド ニン クー ワン ,  ジョン エム ホワイト ,  カム エス ロウ ,  シシー リューン ,  サルヴァドル ピー ウモトイ ,  ケニス エス コリンズ ,  ジョン エイ アダミク ,  イルヤ パーロフ ,  ダン メイダン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-201144
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070035
出願日： 1987年12月18日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【課題】 超高圧を含む、広範囲の圧力にわたって均一な蒸着を提供する半導体処理リアクタを提供することを目的とする。【解決手段】 ウェーハを水平に取付けるための真空室を構成し、かつ、ウェーハ取付け位置の上に、該取付け位置においてウェーハに反応ガスを供給するための水平入口ガスマニホルドを有するハウジングと、真空室内のウェーハ取付け位置の下方周囲に取付けられ、かつ、環状配列の排出孔を有するガス整流プレートと、真空排出ポンプ手段と、孔配列の下方に位置しこれと連通し、かつ、真空排出ポンプ手段と連通する排出口を有する環状溝とを含み、該環状溝の容積は、半径方向ガス流がウェーハ取付け位置を横断し排出口から溝の中に流入することができるほど、排出口に対して伝導力を提供することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

内部に位置決めされたウェーハを処理するための室を構成するハウジングを含み、該ハウジングは、室にウェーハを挿入し室からウェーハを取り出すため、ウェーハ保持ブレードを受け入れるための閉鎖可能な開口を内部に有しており、室に設けられていて、ウェーハを保持するようになった第1のほぼ円形の水平な列のフィンガと、室に設けられていて、ほぼ円形のサセプタを水平配向に保持するようになった、第1のフィンガと互いに噛み合わされた第2のほぼ円形の水平な列のフィンガと、第1のフィンガを、(a)第2のフィンガの処理位置への持上げ移動の前に、ウェーハをブレードから持上げるように上方に移動させ、(b)ウェーハをブレードに戻すように下方に移動させるための、第1のフィンガを取付ける第1の垂直可動エレベータ機構と、第2のフィンガを、(c)第1のフィンガからサセプタ上に、そして少なくとも1つの所定の処理位置の中にウェーハを持上げるように上方に移動させ、(d)第1のフィンガによってブレードに戻す前に、処理されたウェーハを第1のフィンガに蒸着させるように下方に移動させるための、第2のフィンガを取付ける第2の垂直可動エレベータ機構と、をさらに含むことを特徴とする半導体処理リアクタ。

IPC (7件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31