特許
J-GLOBAL ID:200903061047814329

磁気抵抗効果センサおよび磁気記録再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小川 勝男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-172542
公開番号(公開出願番号):特開2000-011332
出願日: 1998年06月19日
公開日(公表日): 2000年01月14日
要約:
【要約】【課題】本発明の目的は、優れたS/N比を有し、かつ通電寿命も高い磁気抵抗効果センサとそれを用いた磁気ヘッド及び高性能な磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】磁気抵抗効果センサの上部,下部絶縁膜が熱伝導性の高いAl-N-O膜からなることを特徴とする。
請求項(抜粋):
下部シールド層と、下部絶縁層と、電極と、磁気抵抗効果膜と、上部絶縁膜と、上部シールド層とを有する磁気抵抗効果センサにおいて、上記下部絶縁層もしくは上部絶縁層の少なくとも一方が、Al-N-O膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果センサ。
Fターム (6件):
5D034BA04 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034BB03 ,  5D034BB08 ,  5D034CA02

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