特許

J-GLOBAL ID：200903061051160287

シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置

発明者： 太田 豊 ,  保科 祐章
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282551
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112126
出願日： 1992年09月28日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】 シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置においてエピタキシャル層成長後、基板とサセプタとの貼り付きに起因する基板クラックの発生を防止できるサセプタを簡単な構成で提供する。【構成】 サセプタ1の基板保持用ポケット2の内周面5に突起部4を複数設ける。サセプタ1の母材および突起部4の素地はカーボン材で一体形成し、これらに同時にSiCコートを施してサセプタ1とする。突起部4はサセプタ1の上面1aをポケット2内に略半円状に延設して形成する。突起部4はポケット底面3、ポケット底面3外周部の溝のいずれよりも面が高いので、基板21の周面と当接してこれを保持することができる。

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板保持用のポケットを備えたサセプタをシリンダー型の反応管内に設けるエピタキシャル成長装置において、前記ポケット底面外周部に環状溝を有し、該ポケット内周の下半分においてポケットの中心を通る垂直線に対し左右対称になるよう突起が設けられ、該突起の間隔が該シリコン基板の外周長の1/20〜1/5であり、該ポケット中心方向への該突起の高さが該シリコン基板装填時にその外周と該ポケット内周との間隔が少なくとも0.5mm以上であるように選ばれ、該突起によって該シリコン基板を保持しうるようにしたことを特徴とする、シリンダー型シリコンエピタキシャル層成長装置。