特許

J-GLOBAL ID：200903061051365644

トンネル磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： レドン オリビエ ,  島沢 幸司 ,  笠原 寛顕 ,  荒木 悟
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171869
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006127
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 TMR変化率の低下がなく、超高密度記録に適用できるよう高いヘッド出力が得られるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供することにある。さらにはバイアス手段の選択のフレキシビリティに優れるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】 トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記強磁性フリー層は、その長手方向両端部にそれぞれ接続配置されたバイアス付与手段によって、強磁性フリー層の長手方向にバイアス磁界が印加されており、当該強磁性フリー層の長手方向(バイアス磁界印加方向)の長さは、前記強磁性ピンド層の長手方向長さよりも大きく設定され、該強磁性フリー層は、その両端部に、前記強磁性ピンド層の長手方向両端部位置よりもさらに延長された拡張部位をそれぞれ備えなるように配置される。

請求項（抜粋）：

トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記強磁性フリー層は、その長手方向両端部にそれぞれ接続配置されたバイアス付与手段によって、強磁性フリー層の長手方向にバイアス磁界が印加されており、当該強磁性フリー層の長手方向(バイアス磁界印加方向)の長さは、前記強磁性ピンド層の長手方向長さよりも大きく設定され、該強磁性フリー層は、その両端部に、前記強磁性ピンド層の長手方向両端部位置よりもさらに延長された拡張部位をそれぞれ備えなるように配置されることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型ヘッド。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

Fターム (6件)：

2G017AA02 ,  2G017AA10 ,  5D034BA05 ,  5D034BA09 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-137621   出願人：日本電気株式会社