特許
J-GLOBAL ID：200903061052946519
アパーチャ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
市之瀬 宮夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-323225
公開番号（公開出願番号）：特開平7-152149
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：
【要約】【目的】 露光中にチャージアップが生じない、しかも作製が容易で精度の高い荷電ビーム露光装置用のアパーチャを提供する。【構成】 荷電ビームを用いた露光方法に用いられるアパーチャ9であって、例えばSi単結晶で作製された支持基板1上に支持基板よりも導電率の高い物質からなる開口部を有する金属膜パターン8aを形成してなる。
請求項（抜粋）：
荷電ビームを用いた露光方法に用いられ、開口部を有する第1の膜領域と、該第1の膜領域を支持し且つ該第1の膜領域より厚い第2の膜領域とを有するアパーチャにおいて、前記第1の膜領域に、アパーチャを形成する主たる材料よりも導電率の高い物質からなる層を少なくとも一層付与してなることを特徴とするアパーチャ。
IPC (2件)：
引用特許：
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