半導体素子の金属配線形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-264124
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203997
出願日： 1995年10月12日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は金属配線を形成する際、絶縁膜表面の段差が甚だしい場合に、金属層の一部分が残ったりコンタクトホールにボイド(Void) が発生する問題点を解消するための金属配線形成方法に関する。【解決手段】高集積半導体素子の下部導電層とコンタクトする上部金属配線を製造するため絶縁膜上部に金属配線を形成し、後続工程で下部導電層が露出するようコンタクトホールを形成した後、金属層を選択的に成長させコンタクトホールに満たすことにより上部金属配線を下部導電層にコンタクトする半導体素子の金属配線形成方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板に第1導電体を形成する段階と、前記基板の全体構造の上部に絶縁膜を形成し、その上部に金属配線マスクを形成する段階と、前記絶縁膜を一定厚さエッチングして溝を形成した後、前記溝底部にシリコンを注入しシリコン注入領域を形成する段階と、前記金属配線マスクを除去した後、前記溝のみにタングステンを選択的に成長させ第1の選択的成長タングステンを形成する段階と、前記絶縁膜の上部にコンタクトマスクを形成した後、前記第1選択的成長タングステンと絶縁膜をエッチングして第1導電体が露出されるようコンタクトホールを形成する段階と、前記コンタクトマスクを除去し、前記コンタクトホールにタングステンを選択的に成長させ前記コンタクトホールが埋め込まれるよう第2の選択的成長タングステンを形成することにより、上部導電層である第1選択的成長タングステンと第1導電体が電気的に接続されるようにする段階とよりなることを特徴とする半導体素子の金属配線形成方法。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-355951
特開昭62-104140
特開平3-127825

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