特許

J-GLOBAL ID：200903061055764187

アルミニウム系配線材料の埋込み方法

発明者： 小山 一英
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309633
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152248
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 配線用接続膜側にAlと反応し易い膜を被着させ、高温スパッタによるAl系膜の埋込みを確実にして、信頼性の高い配線を得んとするものである。【構成】 シリコン基板21上の絶縁膜22にコンタクトホールを開口し、Tiスパッタ粒子を基板に略垂直に入射させて、コンタクトホール側壁に良好な膜厚のTi膜23を被着させる。Tiスパッタ粒子の入射方向の制御手段は、スノコ状のコリメータを用い、斜め方向からのスパッタ粒子を阻止し、略垂直方向のスパッタ粒子のみを基板側へ通過させる。このようにして、コンタクトホール側壁にTi膜23を所定膜厚以上の厚さに被着することにより、後工程のAl高温スパッタによるAl系膜の埋込み特性が向上する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成した絶縁膜に配線用接続孔を開設し、該接続孔内アルミニウム系配線材料を高温スパッタ法により堆積させるアルミニウム系配線材料の埋込み方法において、前記配線用接続孔を開設した後、少なくとも該接続孔内面に、前記半導体基板に対して略垂直方向からスパッタ粒子を入射させるように制御したスパッタ法を用いて、Alと反応し易い高融点金属膜を被着させ、その後前記配線用接続孔を高温スパッタ法によりアルミニウム系配線材料で埋め込むことを特徴とするアルミニウム系配線材料の埋込み方法。

IPC (5件)：

H01L 21/285 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-005521
  
• 特開平2-299269
  
• 特開昭64-076736
  
• 特開昭62-007855