特許

J-GLOBAL ID：200903061056089777

ターンオフ可能な半導体素子

発明者： アンドレ イェクリン ,  エツァトラー ラメツァーニ ,  ペーター ログヴィラー ,  アンドレアス リューエッグ ,  トーマス シュトックマイアー ,  ペーター シュトライト ,  ユルク ヴァルトマイアー
出願人/特許権者： エー ビー ビー マネージメント アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-017352
公開番号（公開出願番号）：特開平7-231086
出願日： 1995年02月03日
公開日（公表日）： 1995年08月29日
要約：

【要約】【目的】 アノード、カソード、制御電極を有するGTOサイリスタを備えた、ディスク状の半導体基体を有するターンオフ可能な半導体素子を、半導体基体の縁領域における熱的な問題が低減されるように、改良する。【構成】 半導体基体の縁側の領域において、冷却セグメント金属化部13を有する少なくとも1つの冷却セグメント15が配置され、該冷却セグメント金属化部の下側に、電気的な絶縁層14が設けられている。

請求項（抜粋）：

a)少なくとも1つのアノードセグメントまたはアノード(A)、少なくとも1つのカソードセグメントまたはカソード(K)および少なくとも1つの制御電極セグメントまたは制御電極(G)を有する少なくとも1つのGTOサイリスタセグメントまたはGTOサイリスタ(GTO)を備えた、ディスク状の半導体基体を有するターンオフ可能な半導体素子において、b)前記半導体基体の縁側の領域において、冷却セグメント金属化部(13)を有する少なくとも1つの冷却セグメント(15)が配置されておりかつc)該冷却セグメント金属化部(13)の下側に、電気的な絶縁層(14)が設けられていることを特徴とするターンオフ可能な半導体素子。