特許
J-GLOBAL ID：200903061057954706
微細パターンの形成方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-075496
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291024
出願日： 1993年04月01日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】 現像工程においてレジストパターンが倒れないように高アスペクト比の微細レジストパターンを形成する。【構成】 被加工材料12上にレジスト層13を形成し、微細パターンを形成する所望の領域に紫外線あるいは遠紫外線14を照射する。それにより、レジスト層13の表層部に現像液に対する難溶化層15を形成する。ついで、X線16により所望の微細パターンを露光した後、現像処理を行う。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層に紫外光あるいは遠紫外光で露光を行いレジスト表層部の所定の領域に現像液に対して難溶化した層を形成する工程と、ついでX線マスクを介してX線で露光を行う工程と、前記レジスト層を現像処理する工程とを備えることを特徴とする微細パターンの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
, G03F 7/38 511
H01L 21/30 331 E
, H01L 21/30 301 A
