特許
J-GLOBAL ID：200903061058534824
ラテラルバイポーラトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-137994
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330083
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 横型バイポーラトランジスタに関して、その高周波特性の改善、向上を目的とする。【解決手段】 絶縁体層102と、この絶縁体層上に形成された半導体層103と、この半導体層に形成された第1の導電型を有するエミッタ領域104と、前記半導体層に形成され、前記エミッタ領域に隣接し、第2の導電型を有するベース領域105と、前記半導体層に形成され、前記ベース領域に隣接し、第1の導電型を有するコレクタ領域106と、前記ベース領域及び前記コレクタ領域に接するように形成され、第2の導電型を有するベース引き出し電極領域108と、を備えることを特徴とするラテラルバイポーラトランジスタ。。
請求項（抜粋）：
絶縁体層と、この絶縁体層上に形成された半導体層と、この半導体層に形成された第1の導電型を有するエミッタ領域と、前記半導体層に形成され、前記エミッタ領域に隣接し、第2の導電型を有するベース領域と、前記半導体層に形成され、前記ベース領域に隣接し、第1の導電型を有するコレクタ領域と、前記ベース領域及び前記コレクタ領域に接するように形成され、第2の導電型を有するベース引き出し電極領域と、を備えることを特徴とするラテラルバイポーラトランジスタ。
IPC (2件)：
前のページに戻る
